1. 简单百科
  2. 陈建新

陈建新

陈建新，男，汉族，1968年6月生，籍贯浙江省，博士研究生，研究员，博士生导师。现任中国科学院上海技术物理研究所副所长。在半导体光电材料与器件，低维半导体材料与光电特性等领域有长期的研究积累。目前主要从事InAs/GaSb II类超晶格红外探测器及新型红外光电器件研究，包括材料与器件结构设计、外延生长、器件制备及性能表征。在国际期刊发表论文60余篇，引用600多次。截止2021年7月，在读博士生3人，在读硕士生3人。已毕业博士生11人，已毕业硕士生4人。就业率：100%。主要就业去向：科研院所、高校、高科技企业等。

人物经历

教育经历

- 1986-09至1990-07 浙江大学 学士。

- 1990-09至1995-07 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 博士。

工作经历

- 1995-07至2000-05 中科院上海微系统与信息技术研究所 助理研究员、副研究员、研究员。

- 2000-06至2001-10 瑞士工学院 研究员。

- 2001-11至2007-03 美国Bell实验室 研究员。

- 2007-04至2009-09 美国普林斯顿大学 研究教授。

- 2009-10至今 中国科学院上海技术物理研究所 研究员、副所长。

研究方向

研究领域包括半导体光电材料与器件，低维半导体材料与光电特性。

主要成就

在半导体电子和光电子领域，如量子级联激光器、量子阱激光器、异质结晶体管、高电子迁移率晶体管等方面有长期的研究积累。目前主要从事InAs/GaSb II类超晶格红外探测器及新型红外光电器件研究，包括材料与器件结构设计、外延生长、器件制备及性能表征。在国际期刊发表论文60余篇，引用600多次。

截止2021年7月，在读博士生3人，在读硕士生3人。已毕业博士生11人，已毕业硕士生4人。就业率：100%。主要就业去向：科研院所、高校、高科技企业等。

所获荣誉

陈建新获得国家科技进步三等奖一项，中国科学院和上海市科技进步奖多项。

专利成果

[1] 陈建新, 金博睿, 徐志成. 超高真空束源炉埚除气装置. CN: CN212533100U, 2021-02-12。

[2] 徐刚毅, 何力, 朱欢, 俞辰韧, 常高垒, 朱海卿, 陈建新, 王芳芳, 颜全. 用于测量太赫兹量子级联激光器增益的器件及测量方法. CN: CN109244822B, 2021-01-01。

[3] 陈建新, 金博睿, 徐志成. 一种超高真空束源炉坩埚除气装置. CN: CN111534797A, 2020-08-14。

[4] 徐志成, 朱艺红, 梁钊铭, 陈凯豪, 陈建新. 一种基于锑快门开关的无失配II类超晶格结构. CN: CN211208457U, 2020-08-07。

[5] 徐志成, 朱艺红, 梁钊铭, 陈凯豪, 陈建新. 一种基于锑快门开关的无失配II类超晶格结构及制备方法. CN: CN111223948A, 2020-06-02。

[6] 徐刚毅, 何力, 俞辰韧, 朱欢, 常高垒, 朱海卿, 王凯, 白弘宙, 王芳芳, 陈建新, 林春. 一种集成有源布拉格反射器的单模太赫兹量子级联激光器. CN: CN110707528A, 2020-01-17。

[7] 徐刚毅, 何力, 朱海卿, 朱欢, 常高垒, 俞辰韧, 王凯, 白弘宙, 王芳芳, 陈建新, 林春. 一种含有天线耦合器的圆偏振单模太赫兹量子级联激光器. CN: CN110707527A, 2020-01-17。

[8] 徐刚毅, 何力, 朱海卿, 朱欢, 常高垒, 俞辰韧, 王凯, 白弘宙, 王芳芳, 陈建新, 林春. 一种含有高效率衍射光栅的单模太赫兹量子级联激光器. CN: CN110690647A, 2020-01-14。

[9] 陈建新, 周易, 田源, 柴旭良, 徐志成. 基于带间级联结构的长波超晶格红外探测器. CN: CN208904041U, 2019-05-24。

[10] 陈建新, 周易, 田源, 柴旭良, 徐志成. 一种基于带间级联结构的长波超晶格红外探测器. 中国: CN108417661A, 2018.08.17。

[11] 周易, 陈建新, 田源. 一种用来测量超晶格材料少子横向扩散长度的器件结构. 中国: CN108417663A, 2018-08-17。

[12] 周易, 陈建新, 王芳芳, 徐志成. 一种无铝型II类超晶格长波双势垒红外探测器. 中国: CN105789364B, 2018-07-06。

[13] 王芳芳, 陈建新, 徐志成, 余成章. 一种化基II类超晶格结构及制备方法. 中国: CN106409937A, 2017.02.15。

[14] 王芳芳, 陈建新, 徐志成, 周易. 一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构. 中国: CN205542814U, 2016.08.31。

[15] 王芳芳, 陈建新, 徐志成, 余成章. 一种砷化铟基II类超晶格结构及制备方法. 中国: CN105789355A, 2016.07.20。

[16] 周易, 陈建新, 王芳芳, 徐志成. 无铝型II类超晶格长波双势垒红外探测器. 中国: CN205810841U, 2016-12-14。

[17] 许佳佳, 陈建新, 马伟平, 潘建珍, 李宁, 白治中. 一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法. 中国: CN106024982A, 2016-10-12。

[18] 王芳芳, 陈建新, 徐志成, 周易. 一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构及制备方法. 中国: CN105514189A, 2016-04-20。

[19] 王少伟, 梁礼, 陈建新, 白治中, 陆卫, 陈效双, 陈飞良, 刘星星, 冀若楠. 中波红外光谱可识别探测器. 中国: CN104568756A, 2015.04.29。

[20] 陈建新, 王芳芳, 徐志成, 周易, 徐庆庆. 基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法. 中国: CN103500765A, 2014-01-08。

代表论文

1. Wang Liang; Xu Zhicheng*; Xu Jiajia; Dong Feng; Wang Fangfang; Bai Zhizhong; Zhou Yi; Chai Xuliang; Li Hui; Ding Ruijun; Chen jianxin*; He Li; Fabrication and Characterization of InAs/GaSb type-II Superlattice Long-Wavelength Infrared Detectors Aiming High 温度 Sensitivity, JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 2020, 38(21): 6129-6134.(期刊论文)。

2. Huang Min; Chen Jianxin*; Zhou yi; Xu Zhicheng; He Li; Light-harvesting for high quantum efficiency in InAs-based InAs/GaAsSb type-II superlattices long wavelength infrared photodetectors, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 114(14). (期刊论文)。

3. Wang Fangfang; Chen Jianxin*; Xu Zhicheng; Zhou Yi; He Li; 表演 comparison between the InAs-based and GaSb-based type-II superlattice photodiodes for long wavelength infrared detection, Optics Express, 2017, 25(3): 1629-1635.(期刊论文)。

4. Yi Zhou; Chen Jianxin*; Zhicheng Xu; Li He; High quantum efficiency mid-wavelength interband cascade infrared photodetectors with one and two stages , SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY , 2016, 31(8).(期刊论文)。

5. Chen Jianxin*; Xu Qingqing; Zhou Yi; Jin Jupeng; Lin Chun; He Li; Growth and fabrication of InAs/GaSb type II superlattice mid-wavelength infrared photodetectors, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2011, 6.(期刊论文)。

参考资料

陈建新.上海科技大学.2024-03-30

陈建新教授工作室.中国科学院大学.2024-03-30

陈建新.中国科学院大学.2024-03-30