萨支唐
萨支唐（Chihtang Sah），1932年11月10日出生于中国北京，美国国籍，物理学家，微电子学家，美国国家工程院院士，中国台湾“中央研究院”院士，中国科学院外籍院士，厦门大学物理科学与技术学院教授。
萨支唐于1953年获美国伊利诺大学电机工程学学士和工程物理学士学位；1954年获美国斯坦福大学硕士学位；1956年获美国斯坦福大学博士学位；1959年—1964年供职于美国快捷半导体（苏州）有限公司；1964年担任伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校物理系和电子及计算机系教授；1986年当选为美国国家工程院院士；1988年起担任佛罗里达大学电机和电子工程系教授、工学院首席科学家；1998年当选为中国台湾“中央研究院”院士；2000年当选为中国科学院外籍院士；2010年起受聘为厦门大学物理科学与技术学院教授。
2004年被厦门大学授予“荣誉教授”称号，2010年起受聘为厦门大学微电子学科杰出教授。萨支唐的父亲萨本栋是厦门大学前校长、第一届中央研究院院士，“父子院士”成为一段传奇。
人物生平
1932年萨支唐出生于中国北平市，后回福州市接受完中学教育。
1949年赴美国就读于伊利诺伊大学，1953年获得学士后又到斯坦福大学学习。
1956年在斯坦福大学获得博士学位。1956年起，他跟随威廉·肖克利在工业界共同从事固态电子学方面的研究。
1959年至1964年供职于快捷半导体（苏州）有限公司。
1964年他来到伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校任物理系和电子及计算机系教授达26年，培养出40名博士。
1988年起，他在佛罗里达大学担任教授至今。
2000年当选为中国科学院外籍院士。
2010年厦门大学89年校庆之际接受聘任担任厦门大学物理科学与技术学院教授。
萨支唐教授是改革开放以后最早与中国进行科技合作与交流的美国科学家之一。曾多次访华，作了20余次系列讲座，先后指导了12名中国研究生，还多次协助在中国举办国际学术研讨会。
主要成就
科研成就
研究领域
主要从事微电子学研究。长期致力于半导体器件和微电子学研究，在上世纪60年代末首先提出CMOS结构，对发展晶体管、集成电路以及可靠性研究做出了里程碑性质的贡献。
他提出了半导体p-n结中电子-空穴复合理论。开发了半导体局域扩散的平面工艺和MOS、CMOS场效应晶体管，并提出MOS晶体管理论模型。发明了探测半导体中微量缺陷的深能级瞬态谱（DLTS）方法。发现了氢在硅中对受主杂质的钝化作用。近期致力于亚微米MOS晶体管的可靠性研究。
在快捷半导体（苏州）有限公司期间，萨支唐带领一个64人的研究组从事第一代硅基二极管、MOS晶体管和集成电路的制造工艺研究，是半导体工业先驱之一。他提出了半导体p-n结中电子-空穴对复合理论，和其他科学家共同开发出MOS、CMOS场效应晶体管，还提出了MOS晶体管模型。此外，他还发明了深能级瞬态谱方法用于探测半导体内的缺陷。目前他的研究方向主要是在亚微米MOS晶体管的可靠性研究。目前，萨支唐已发表了大约280篇学术论文，并应邀做了约170次学术演讲。
荣誉表彰
半导体工业协会（SIA）最高奖（1998）等多项奖励。
美国工程院院士
中央研究院院士
中国科学院外籍院士
相关报道
厦门大学图书馆萨本栋纪念特藏库的一个重要组成是萨支唐教授（Professor Tom Chih-tang sah）自1960年代以来的个人及其学生的科学研究档案。自2000年起，萨教授花费了大量的时间、精力和费用，陆续将这批资料从佛罗里达大学运来厦门大学本馆收藏。 2009年11月28日上午，从美国来校参加“全国首届集成电路设计前沿技术短训班”的萨支唐教授在萧德洪馆长、陈小慧副馆长陪同下亲临特藏库，仔细察看“萨支唐教授科学研究档案专架”的整理情况，并就今后继续捐赠资料及小型设备事宜与馆领导交换意见。在萨教授的引荐下，12月4日上午，（台湾）力旺电子股份有限公司董事长徐清祥博士前来参观，惊喜地在专架上找到自己在上世纪80年代师从萨支唐教授学习时的论文、实验报告等，对我们的工作高度赞赏，欣然提笔在当年的实验报告上签名留念。
2009年11月25日，2009年IEEE电子器件与固体电路国际学术会议（IEEE International Conference of Electron Devices and 固体State Circuit 2009，简称EDSSC2009）在西安市隆重召开。本次会议由 IEEE 电子器件学会和固体电路电路学会授权，IEEEEDS西安分会，陕西省集成电路行业协会，西安电子科技大学和西安市集成电路产业发展中心共同组办。
大会开幕式由IEEE EDS副主席、西安交通大学 教授、西安市科学技术局局长徐可为主持，IEEEEDS主席、美国中佛罗里达大学教授 J. J. Liou致开幕词，西安电子科技大学副校长 郝跃教授致欢迎词，西安市高新区管委会副主任赵璟致贺词，近150名来自世界各国的研究学者出席了开幕式。
应EDSSC2009委员会的邀请，国际著名专家、美国佛罗里达大学教授、美国国家工程院院士、中国科学院外籍院士、台湾“中研院”院士萨支唐教授首先做了“The Complete SemiconductorTransistor”的特邀主题报告。三星集团副总裁 Dr. Byeong-Ha Park 做了题为“The Future Development of Mixed Signal IC in Nanotechnology”主题报告。这两个主题报告向与会者传递了目前国际上新的发展趋向，引起与会者的极大兴趣和高度评价
个人生活
萨支唐是福州萨氏家族成员，其父萨本栋是第一届中央研究院院士、厦门大学前校长，他还有一位弟弟萨支汉是纽约州立大学石溪分校的数学教授。
参考资料
师者|萨支唐：世界第一个提出CMOS概念的人，一个MOS半导体器件领域绕不开的人.电子科学技术学院.2024-09-05