蚀刻
蚀刻是将材料通过化学反应或物理撞击作用而移除的技术。通常的蚀刻技术指的都是化学蚀刻，是一种通过曝光制版和显影后，将蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，起到溶解腐蚀的作用，从而达到凹凸或者镂空成型的效果。蚀刻可以对金属表面进行细微加工，可以实现金属表面的特殊效果，因而在很多设计上得以应用，常见的蚀刻工艺有曝光法和网印法。
蚀刻是IC工艺以及MENS工艺中的一种重要步骤，是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺。广义上来讲，蚀刻成为通过溶液、反应离子或其他机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。在半导体制造中有两种基本的蚀刻工艺：干法蚀刻和湿法蚀刻。干法蚀刻是把晶圆表面暴露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反应(或这两种反应)，从而去掉暴露的表面材料，是亚微米尺寸下蚀刻器件的最重要方法。干法蚀刻又可以分为离子铣蚀刻、带电粒子蚀刻和反应离子蚀刻三种主要方法。而在湿法蚀刻中，液体化学试剂(如酸、碱和溶剂等)以化学方式去除硅片表面的材料，湿法蚀刻一般只适用于尺寸较大的情况(大于3μm)，仍然用来腐蚀硅片上某些层或用来去除干法蚀刻后的残留物。湿法蚀刻由于其快速的蚀刻时间、低成本、低复杂度以及光罩材料的可用性而被广泛使用，是传统蚀刻方法。
蚀刻原理
通常所指蚀刻也称光化学蚀刻（photochemical etching），指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。
工艺流程
曝光法：工程根据图形开出备料尺寸-材料准备-材料清洗-烘干→覆膜或涂布→烘干→曝光→ 显影→烘干-蚀刻→脱膜→OK
网印法：开料→清洗板材(不锈钢其它金属材料)→钢网印→蚀刻→脱膜→OK
注意问题
减少侧蚀和突沿，提高蚀刻系数
侧蚀产生突沿。通常印制板在蚀刻液中的时间越长，（或者使用老式的左右摇摆蚀刻机）侧蚀越严重。侧蚀严重影响印制导线的精度，严重侧蚀将使制作精细导线成为不可能。当侧蚀和突沿降低时，蚀刻系数就升高，高的蚀刻系数表示有保持细导线的能力，使蚀刻后的导线接近原图尺寸。电镀蚀刻抗蚀剂无论是锡－铅合金，锡，锡－合金或镍，突沿过度都会造成导线短路。因为突沿容易断裂下来，在导线的两点之间形成电的桥接。
提高板子与板子之间蚀刻速率的一致性
在连续的板子蚀刻中，蚀刻速率越一致，越能获得均匀蚀刻的板子。要达到这一要求，必须保证蚀刻液在蚀刻的全过程始终保持在最佳的蚀刻状态。这就要求选择容易再生和补偿，蚀刻速率容易控制的蚀刻液。选用能提供恒定的操作条件和对各种溶液参数能自动控制的工艺和设备。通过控制溶铜量，PH值，溶液的浓度，温度，溶液流量的均匀性(喷淋系统或喷嘴以及喷嘴的摆动)等来实现。
提高整个板子表面蚀刻速率的均匀性
板子上下两面以及板面上各个部位的蚀刻均匀性是由板子表面受到蚀刻剂流量的均匀性决定的。
蚀刻过程中，上下板面的蚀刻速率往往不一致。一般来说，下板面的蚀刻速率高于上板面。因为上板面有溶液的堆积，减弱了蚀刻反应的进行。可以通过调整上下喷嘴的喷啉压力来解决上下板面蚀刻不均的现象。蚀刻印制板的一个普遍问题是在相同时间里使全部板面都蚀刻干净是很难做到的，板子边缘比板子中心部位蚀刻的快。采用喷淋系统并使喷嘴摆动是一个有效的措施。更进一步的改善可以通过使板中心和板边缘处的喷淋压力不同，板前沿和板后端间歇蚀刻的办法，达到整个板面的蚀刻均匀性。
在蚀刻多层板内层这样的薄层压板时，板子容易卷绕在滚轮和传送轮上而造成废品。所以，蚀刻内层板的设备必须保证能平稳的，可靠地处理薄的层压板。许多设备制造商在蚀刻机上附加齿轮或滚轮来防止这类现象的发生。更好的方法是采用附加的左右摇摆的聚四乙烯涂包线作为薄层压板传送的支撑物。对于薄铜箔(例如1/2或1/4盎司)的蚀刻，必须保证不被擦伤或划伤。薄铜箔经不住像蚀刻1盎司铜箔时的机械上的弊端，有时较剧烈的振颤都有可能划伤铜箔。
减少污染的问题
铜对水的污染是印制电路生产中普遍存在的问题，氨碱蚀刻液的使用更加重了这个问题。因为铜与氨络合，不容易用离子交换法或碱沉淀法除去。所以，采用第二次喷淋操作的方法，用无铜的添加液来漂洗板子，大大地减少铜的排出量。然后，再用空气刀在水漂洗之前将板面上多余的溶液除去，从而减轻了水对铜和蚀刻的盐类的漂洗负担。