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氧化铟

氧化铟

氧化是一种新的n型透明半导体功能材料，具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性，在光电领域、气体传感器、催化剂方面得到了广泛应用。而氧化铟颗粒尺寸达纳米级别时除具有以上功能外，还具备了纳米材料的表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应等。

杂质要求

包装

本产品可按用户要求，装入塑料桶，热塑套管封口。

包装（Package）： 20公斤/袋

用途

电阻式触摸屏中经常使用的原材料，主要用于荧光屏、玻璃、陶瓷、化学试剂等。另外，广泛应用于有色玻璃、陶瓷、碱锰电池代汞缓蚀剂、化学试剂等传统领域。近年来大量应用于光电行业等高新技术领域和军事领域，特别适用于加工为铟锡氧化物(ITO)靶材，制造透明电极和透明热反射体材料，用于生产平面液晶显示器和除雾冰器。

毒理学数据

急性毒性：大鼠口经LD：\u003e10gm/kg；小鼠引入腹膜LDLo：5gm/kg；小鼠口经LDLo：10gm/kg

生态学数据

通常来说对水是无害的，若无政府许可，勿将材料排入周围环境。

分子结构数据

1、单一同位素质量：277.7925 Da

2、标称质量：278 Da

3、平均质量：277.6342 Da

计算化学数据

1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无

2.氢键供体数量:0

3.氢键受体数量:3

4.可旋转化学键数量:0

5.互变异构体数量：无

6.拓扑分子极性表面积3

7.重原子数量:5

8.表面电荷:0

9.复杂度:0

10.同位素原子数量:0

11.确定原子立构中心数量:0

12.不确定原子立构中心数量:0

13.确定化学键立构中心数量:0

14.不确定化学键立构中心数量:0

15.共价键单元数量:5

性质与稳定性

在氢气或其他还原剂存在下，加热至400～500℃可还原成金属铟或低价铟的氧化物。

在高温下分解为低级氧化物。另外，在高温下可与金属铟发生反应，低温灼烧生成的InO虽易溶于酸，但经过高温处理得越完全就越难溶，吸湿性也消失了。三氧化二铟在赤热状态下用氢气还原时，则生成金属铟。

贮存方法

保持贮藏器密封、储存在阴凉、干燥的地方，确保工作间有良好的通风或排气装置。

合成方法

1.将高纯金属铟在空气中燃烧或将碳酸铟煅烧生成InO、InO、InO，精细控制还原条件可制得高纯InO。也可用喷雾燃烧工艺制得平均粒径为20nm的三氧化二铟陶瓷粉。

2.将氢氧化铟灼烧制备三氧化二铟时，温度过高的话，InO有热分解的可能性，若温度过低则难以完全脱水，而且生成的氧化物具有吸湿性，因此，加热温度和时间是重要的因素。另外，因为InO容易被还原，所以必须经常保持在氧化气氛中。

3.将氢氧化铟在空气中，于850℃灼烧至恒重，生成InO，再在空气中于1000℃加热30min。其他硝酸铟、碳酸铟、硫酸铟在空气中灼烧也可以制得三氧化二铟。

用途

1.用作光谱纯试剂和电子元件的材料等

2.用于金属反射镜面的保护涂层、光电显示半导体薄膜，也用于制造铟盐、玻璃。

安全信息

危险运输编码：UN 1993 3/PG 2

危险品标志：刺激

安全标识：S26S36

危险标识：R36/37/38