化是一种Ⅲ-Ⅵ族化合物，具有不同的化学组成，其中研究最多的是InSe和In2Se3。In2Se3是一种N型半导体化合物，可以应用于光电转化、光催化、电子器件等领域。 2016年11月，曼彻斯特大学和诺丁汉大学的研究人员合成纳米级超薄硒化铟。
物质结构
通过In-Se熔融体的X射线衍射研究指出有五种二元化合物，InSe、InSe、InSeInSe、InSe。其中研究最多的是InSe和InSe。
InSe主要包括α、β、γ、δ和κ五种晶体结构。
理化性质
α-InSe和γ-InSe在室温下能够稳定存在，它们的带隙值分别为1.2-1.3 eV和1.9-2.3 eV。
制备方法
单晶硒化铟可以用 Bridgman–Stockberger 法制备，以一定比例的硒单质和铟单质为原料，在管式炉中高温长时反应，能制得硒化铟的每种化合物。
InSe的水热法合成研究较晚，将天然维生素c在60℃条件下溶于乙醇溶液中，然后加入InCl和Se粉，装入反应釜中后在220℃高温下保持20小时，得到了直径为2-4μm的花状γ-InSe球体。
研究进展
2016年11月，曼彻斯特大学和诺丁汉大学的研究人员合成纳米级超薄硒化铟，仅有几层原子的厚度，并表现出优于硅的半导体性能，是未来替代硅制作电子芯片的理想材料。