晶格能
晶格能也称点阵能，是指由相互远离的气态离子或分子形成1摩尔化合物晶体时所释放出的能量（更严谨的定义还须指定温度），因晶体具有点阵式的周期性结构而得名。
晶格能是离子晶体最重要的性质之一，离子晶体的牢固程度常用晶格能来衡量。晶格能是无法由实验直接测定的，通常被取做晶格能实验值的是由热化学实验数据计算而来的值。
定义
晶格能也可以说是破坏1mol晶体，使它变成完全分离的气态自由离子所需要消耗的能量（H为正）。标准状况下，拆开单位物质的量的离子晶体使其变为气态组分离子所需吸收的能量，称为离子晶体的晶格能。
公式
用化学反应式表示时，相当于下面反应式的变的值。
计算方法
晶格能的数值有两个来源：
第一是理论计算值。它是根据离子晶体模型，考虑其中任一离子跟周围异号离子间的吸引作用，以及跟其他同号离子间的排斥作用推导出下列近似公式计算得到的。
式中N是阿莫迪欧·阿伏伽德罗常数，Z是离子价数，r是一对离子间的平均距离，M是跟晶格类型有关的马德隆常数，ε是真空电容率（），n为伯恩常数，它的值可取5~12。例如，氯化钠晶体的，，，，代入上述公式可得。
第二是热化学实验值。设计一个热化学循环，然后根据实验测得的热化学量（如生成热、升华热、离解热、电离能、电子亲合势）进行计算。
稳定性
离子化合物都有较高的熔点和沸点，这是和它们离子晶体有很大的晶格能有关。由于，MgO的熔点（2800℃）比NaF的熔点（988℃）高得多。
晶格能的大小决定离子晶体的稳定性，用它可以解释和预言离子晶体的许多物理和化学性质。例如，根据晶格能大小可以求得难以从实验测出的电子亲和势，可以求得离子化合物的溶解热，并能预测溶解时的热效应。
晶格能越大，熔化或破坏离子晶体时消耗的能量就越大，相应的熔点就越高，硬度就较大。亚铜离子为18电子构型，钠离子为8电子构型，亚铜离子的极化作用大于钠离子，所以共价键成分更多，晶格能更小，熔沸点更低。因此。
影响因素
影响晶格能大小的因素主要是 离子半径、离子电荷以及 离子的电子层构型等。
离子半径
例如，随着卤离子 半径增大，卤化物的 晶格能降低。
离子电荷
高价化合物的晶格能远大于低价离子化合物的晶格能，如。
电子构型
和半径相近、离子电荷相同，但是18电子构型，对阴离子会产生极化作用，因此。
注意事项
1.只有气态的离子化合为产物时才可以讨论晶格能。
2.晶格能永远是正数：由于晶格能的定义强调了离子键的形成，而不是离子键的破裂，因此反应永远是放热反应。
3.由于能量守恒定律与热力学第二定律的原因，晶格能越大表示该离子化合物越稳定，晶格内的离子键越强。