夏义本，1942年12月出生于浙江宁波，1965年毕业于复旦大学物理系半导体物理专业。他在1981年获得中国科学院理学硕士学位，并在1998至1999年间在东北大学材料研究所担任客座教授。
简介
1965年毕业于复旦大学物理系半导体物理专业。后在电子工业部北京774厂任工程师，从事半导体硅材料和元器件研究开发工作。1981年获中科院理学硕士，后在原上海科技大学材料科学与工程系任讲师，副教授，教授；功能薄膜材料与器件研究室主任，系副主任，系主任。1994年并人上海大学材料科学与工程学院任常务副院长，现任院长，电子信息材料系系主任，教授、博士生导师。其间：1985~1987年国家公派赴原西德维茨堡大学物理研所究作访问学者； 1996~1997年在德国Fraunhofer薄膜及表面技术研究所任客座教授； 1998~1999年在东北大学材料研究所任客座教授。
学术专长
功能薄膜材料与器件，微电子学与半导体元器件。当前主要研究方向为金刚石薄膜生长及在微电子器件中应用。首先发现了锗双晶界面在超低温强磁场下跳跃电导和负磁阻效应。主持过科技项目：HgCdTe红外材料及SPRITE红外探测器；锗双晶界面输运特性；类金刚石膜作光学增透膜新应用；微波等离子体沉积大面积金刚石薄膜及应用；用DPLF处理在多种基片上实现金刚石膜的选择性定向生长；陶瓷-金刚石膜复合材料的介电性质的研究（国家自然科学基金）；目前主持的在研项目为：高分辨率X射线成像？微条气体室的研制（国家自然科学基金）；高速、强抗辐射粒子探测器件的研究（国家自然科学基金）；金刚石膜微条粒子探测器的研制（上海市科委重点项目）；适应超大规模集成电路的金刚石膜？氧化铝复合基片材料的研究（上海应用材料研究与开发基金）；类金刚石膜的红外性能（上海市自然科学基金）。
社会活动
中国电子学会材料与器件委员会委员、中国光学材料委员会委员、中国真空学会材料与器件委员会委员、上海半导体材料专业委员会常务理事、上海市科委材料专家组成员、上海新材料协会理事、纽约科学学会会员；中科院光机所学术委员会委员、中科院国家功能材料开放实验室学术委员会委员。2000年10月第一届亚太地区金刚石及其相关材料国际会议主席。
科技贡献
超高频自动增益控制管在1977年获原电子工业部一等奖；
类金刚石与金刚石复合膜作新型光学增透膜在1992年获国家发明专利。
主要著作
夏义本等, 半导体器件可靠性专辑, 电子工业出版社, 1977年4月
夏义本等, 金刚石薄膜研究进展, 电子工业出版社, 1991年3月
主讲课程
固体物理、半导体物理、半导体器件（本科）；薄膜材料与器件原理（硕士）；薄膜电子学（博士）。